22nm novosti sa Intel Developer Foruma

Septembar 22, 2009. godine — Kompanija Intel Corporation održava Intel Developer Forum u San Francisku u periodu od 22. do 24. septembra. Pol Otelini, predsednik i izvršni direktor kompanije Intel, danas je predstavio prve čipove zasnovane na 22nm proizvodnoj tehnologiji. Intel nastavlja da prati Murov zakon i donosi njegove prednosti krajnjim korisnicima. Predstavljajući treću generaciju high-k metal gate tranzistora, ovaj događaj dolazi dve godine nakon što je Intel demonstrirao rad na prethodnoj 32nm generaciji, i svedoči da Murov zakon prevazilazi predviđanja stručnjaka o trenutku kada će industrija stići do svojih kranjih granica razvoja.

• Memorije SRAM su korišćene prilikom testiranja kako bi bile prikazane performanse tehnologije, prednosti i pouzdanost čipa pre plasiranja procesora i drugih logičkih čipova koji će koristiti dati proizvodni postupak.
• Kompanija Intel je trenutno u punom razvoju i nastavlja da radi na „tik-tak“ modelu i da ga preobraća u narednu generaciju.
• Test na 22nm procesoru obuhvata i SRAM memoriju i logička strujna kola koja treba da budu korišćena na 22nm mikroprocesorima.
• Na 364 Mb, ovo je najveći SRAM ikad napravljen i najmanja SRAM ćelija u radnom procesoru od 0.092 kvadratnih mikrona.
• SRAM ćelije od 0.108 i 0.092 kvadratnih mikrona funkcionišu u nizu od ukupno 364 miliona bitova. Ćelija od 0.108 kvadratnih mikrona je namenjena operacijama niske voltaže. Ćelija od 0.092 kvadratnih mikrona je optimizovana za veliku gustinu i predstavlja najmanju SRAM ćeliju ikad napravljenu koja radi u strujnim kolima. Test čip sadrži 2.9 milijardi tranzistora, što je otprilike duplo veća gustina od prethodne 32nm generacije, na prostoru površine nokta.
• Ova tehnologija od 22nm nastavlja da pruža prednosti Murovog zakona: manje tranzistore, unapređene performanse/vat i manje troškove po tranzistoru.

|Search:Find More About 22nm novosti sa Intel Developer Foruma|

[ad#ad-post1]